snagcuin钎料cu基板界面显微组织分析(附件)【字数:11354】

摘 要摘 要传统的Sn-Pb钎料共晶熔点低,导电性能好再加上制作成本低使其在生产中得到了广泛的应用。然而,众所周知,Pb含有剧毒,不论是对环境还是对人们的身体健康都有很大的危害。目前人们致力于发展和传统Sn-Pb钎料性能相近或更好的无铅钎料,以求取代传统Sn-Pb钎料。在目前的电子行业中使用较多的的无铅焊料有Sn-Cu系和Sn-Ag-Cu系,低银Sn-Ag-Cu无铅钎料成为当下热门的研究课题。本实验以Sn-1.0Ag-0.5Cu无铅钎料为研究对象,在钎料中加入不同含量的In(1%,2%,3%,4%),

snagcusnbi复合焊点的电迁移可靠性(附件)【字数:11935】

摘 要摘 要随着电子产品越来越小型化、多功能化,因此所用的钎料所需要满足的功能也越来越多。传统的含铅钎料已经逐渐被淘汰,而单一的无铅钎料在性能上已渐渐跟不上电子产品的要求,于是人们开始了复合焊料的研究。在电子产品中,焊点部位随着电子产品的发展,所承受的电流密度也随之增加,在高电流密度的作用下,材料内部会产生电迁移现象,从而影响电路正常运行。因此复合焊料电迁可靠性的研究成为了电子封装的重要研究对象。本文对SnAgCu/SnBi结构混合焊点和成分混合焊点两种焊点进行研究。通过在常温下分别对试样进行电流

snagcu系列无铅微焊点剪切力学性能分析(附件)【字数:11645】

摘 要摘 要电子器件的微型化发展及高密度细间距封装趋势,对主流Sn-Ag-Cu系无铅微焊点的可靠性提出了越来越高的要求。然而Sn-Ag-Cu系无铅焊料合金中Ag的价格比较昂贵,这就使电子产品成本上升,对推进电子产品无铅化不利。因此研究低银含量的无铅钎料势在必行。本试验选用Sn-0.7Cu、Sn-0.3Ag-0.7Cu、Sn-1.0Ag-0.5Cu和高银含量的Sn-3.0Ag-0.5Cu钎料做为研究对象,研究了Ag含量对Sn-Ag-Cu无铅钎料合金在Cu基板上铺展性能以及Sn-Ag-Cu钎料/Cu界面显

tial基合金奥氏体不锈钢钎焊工艺及接头特性的研究(附件)【字数:13497】

摘 要摘 要本文选用BNi-2钎料,对TiAl基合金与0Cr18Ni9不锈钢进行真空钎焊,焊后利用扫描电镜、超景深显微镜、显微硬度计等分析了钎焊保温时间和钎焊温度对接头组织与性能以及界面元素扩散的影响。研究结果表明接头的界面组织明显分为5个反应层。靠近TiAl基合金一侧含有锯齿状灰黑色相的反应层Ⅰ;与Ⅰ层相连的灰色反应层Ⅱ;含有条块状或点状的黑色相的反应层Ⅲ;焊缝中心层Ⅳ;不锈钢母材侧界面反应层Ⅴ。随着保温时间的延长,TiAl基侧各反应层厚度明显增加,反应层Ⅲ中的黑色化合物相的数量也增多,并且由细

znonb2o5tio2微波介质陶瓷的性能研究(附件)【字数:10324】

摘 要摘 要随着低温共烧陶瓷(LTCC)技术的快速发展,微波介质陶瓷元器件集成化和小型化的需求正在被满足,为了达到其工艺及元器件的实用要求,微波介质陶瓷在向着低烧结温度、高品质因数以及低谐振频率温度系数等方向发展。本文对ZnO-Nb2O5-TiO2(ZNT)微波介质陶瓷的物理结构和介电性能进行了研究,采用传统固相法制备得到ZnNb2TiO8 微波介质陶瓷,添加不同添加量的B2O3,研究其对材料介电性能的影响,然后讨论不同烧结温度对其介电性能的影响。实验结果表明同种组分的样品在不同烧结温度下得到的介电性能不

包覆涂层钎焊连接参数优化研究(附件)【字数:10262】

摘 要摘 要为了得到最优的焊接参数,本文以Q235钢为基体,以WC颗粒加BNi-2钎料颗粒混合通过轧制制成WC金属布,采用真空钎焊对钢基体进行表面处理,研究了钎焊连接参数对表面包覆涂层剪切强度、硬度的影响。采用金相显微镜、扫描电子显微镜分析了基体与涂层之间的组织断口形貌、成分及元素扩散等情况。试验结果表明通过真空钎焊的方法制备出的包覆涂层表面平整且无明显缺陷,也未观察到明显孔隙,有金属光泽,没有出现钎料润湿不足的现象;当钎焊温度为1045℃时,包覆涂层的硬度最大为60.2HRC;包覆涂层的剪切强度随钎

变电场对cutasi互连结构界面扩散定量分析研究(附件)【字数:11624】

摘 要摘 要在集成电路中,关于Cu互连技术的研究一直都是行业关注的热点。自从Cu引线技术发明以来,凭借着其出色的性能,迅速取代Al引线,成为集成电路领域主流的技术。然而,Cu互连技术中Cu的扩散问题一直制约它进一步发展。为了解决这个问题,需要加入阻挡层材料。所以,扩散阻挡层材料的研究就成了Cu引线研究领域中的焦点。目前,大部分研究人员把重点放在了研究阻挡层材料高温失效的机理上,而忽视了外部条件,例如电场,对阻挡层扩散的影响。本文通过磁控溅射技术在Si基片上依次镀上50nm的Ta和300nm的Cu,制成Cu

固含量对流延成型法制备batio3陶瓷的影响研究(附件)【字数:10563】

摘 要摘 要BaTiO3陶瓷作为钙钛矿类化合物的代表,具有介电常数高,介电损耗低和很好的绝缘、耐压、铁电及压电性能,在制造高介电多层电容器(MLCC) ,传感器,PTC元件等方面广泛应用,是“电子工业的支柱”。流延成型(Tape-casting) 是一种制备大面积、(超薄) 陶瓷基片的专用方法,具有速度快,生产效率高,工艺稳定,组织结构均匀,产品质量好的优势。流延工艺的应用给电子设备和电子元器件的微型化和集成化提供了广阔的前景,成为生产MLCC和多层陶瓷基片的主要方法。本实验使用溶胶-凝胶法(So

固含量对流延成型法制备cofe2o4陶瓷的影响研究(附件)【字数:12178】

摘 要 摘 要铁氧体作为一种磁性材料在日益新兴的汽车、计算机、雷达及电子通讯领域中被广泛应用,并且在国防工业中发挥着重要作用。目前,铁氧体的发展趋势主要向着多功能化、小型化、高性能化的方向进行发展。本论文采用固相合成法与共沉积法分别制备出微米级和纳米级钴铁氧体粉末,运用流延成型法和固相烧结法来制得CoFe2O4陶瓷,通过改变固含量、烧结温度、保温时间并观察不同尺寸不同固含量粉料的CoFe2O4陶瓷烧结前后的致密度、体积收缩率、微观结构的影响规律。研究发现,钴铁氧体陶瓷的密度随固含量升高而升高,微米级

工艺参数对高硅铝合金cmt组织与性能的影响(附件)【字数:12950】

摘 要摘 要 随着微电子行业的行业的快速发展,对封装材料要求也越来越高,而高硅铝合金的高热导率、低膨胀系数等均较符合其要求;本文主要对Al-30Si合金的CMT焊接性能包括焊缝成型、硬度、气密性等进行分析。 首先我们对所用的试验材料进行了拉伸试验,结果表明Al-30Si合金的延伸率仅有3.8%左右,为典型的脆性材料;其次我们对试样用不同的焊接参数进行CMT堆焊试验,分别以不同的焊接速度和送丝速度进行并将焊接后的焊缝制成金相试样进行显微观察气孔和焊缝熔宽、余高、熔深和余高的测量和分析,结果表明经过C

干压成型法制备xbatio3(1x)cofe2o4陶瓷的烧结工艺研究(附件)【字数:10975】

Study on sintering process of xBaTiO3/ (1-x) CoFe2O4 ceramics prepared by dry pressinStudy on sintering process of xBaTiO3/ (1-x) CoFe2O4 ceramics prepared by dry pressin 随着当今世界科技的飞速发展和人类社会的不断进步,铁电性和铁磁性材料在现代科技中得到广泛运用,而BaTiO3/CoFe2O4作为复合多铁性材料同时具备多种性能被人们所关

好棒文