现代社会中，科学技术在飞速的发展，数字图像在我们的生活中也起到了举足轻重的作用。然而，在图像成像或传输的过程中会受到外界各种因素的影响，导致图像信息不完整或受损，从而对科学研究、医疗、军事、工业生产等社会活动带来了严重的不便，因此图像融合也就成为了数字图像处理中不可或缺的一部分。本次课题研究中，将不同算法利用MATLAB GUI界面设计实现图像融合，并对不同方法分析比较。本文第一部分介绍了数字图像融合的发展概况和研究现状。第二部分对图像融合的各种算法以及一些常见的评价指标进行了阐述。第三部分介绍了MATL

本文以非平衡态格林函数为基础，研究在四端量子点环装置上，由于Rashba自旋轨道相互作用的影响，在有磁场穿过的情况下，四端量子点环装置上出现的自旋和电荷的能斯特效应。讨论不同因素对系统中电荷和自旋能斯特系数的影响，并分析如何通过改变这些因素使温度差转化为电荷流和自旋流的效率更高。研究发现在铁磁或非铁磁构型中，通过改变系统中磁通引起的相位和自旋引起的进动相位，可以使系统中的能斯特系数在量子点能级的某个区间内呈线性变化，这种发现对于将来有效地利用能斯特效应有着很好的理论价值。关键词 自旋电子学，Rashba

亚波长光栅是光栅周期小于工作光波长的一种周期结构光学元件。其中，亚波长减反射光栅具有很多广泛的实际应用，目前已经在光学镜头，发光二极管，有机发光二极管，太阳能电池中得到广泛应用。通过调制光栅参数如周期、占空比和槽深等，可以对亚波长减反射光栅的增透特性进行优化设计，实现高透射、低反射的光学特性。本文以光学经典仿真软件RSoft的DiffractMOD模块为工具，利用严格耦合波分析的方法，对一维亚波长光栅减反射特性的影响参数进行了研究，探讨分析周期、槽深、占空比和折射率这四个参数对减反射效果的影响，给出了理论

有机发光二极管(Organic light emitting diodes, OLEDs)是有机电子器件中最早问世的器件之一，广大科研工作者和产业界认为是最具有发展前景的下一代平板显示和照明技术之一。提高OLED的出光效率一直是OLEDs领域研究的热点之一。在常规平面多层OLEDs中，由于不同功能层折射率的不同，有机层发出的光并不会全部出射到外部空间，常规的OLEDs器件的出光效率只有大约20％，大部分产生的光子无法出射到器件外部空间。较低的出光效率会严重的限制器件发光效率的提升，因此，提高器件的出

毕 业 设 计 说 明 书 （ 论 文 ） 中 文 摘 要毕 业 设 计 说 明 书 （ 论 文 ） 中 文 摘 要本论文先介绍了论文的研究背景、研究的意义，也简述ADS这种微波仿真软件。然后介绍了滤波器如何从低通转化到带通的转化过程，接着介绍了用ADS软件设计和仿真伪梳状线带通滤波器的流程和方法，最后分析了当改变伪梳状线带通滤波器的半波长谐振器的长度、半波长谐振器耦合的间隙和伪梳妆线带通滤波器的抽头位置时候对伪梳状线带通滤波器性能的影响，定性的得到了在这些因素的影响下滤波器性能的变化曲线。设计的结果表明

采用化学气相沉积法在Si衬底上制备ZnO纳米棒 ,本实验运用到了扫描电子显微镜（SEM）、光学多通道分析仪（OMA）、透射电子显微镜（TEM）等对生成的ZnO纳米棒做出形貌与光电表征，阐述了氧化锌纳米棒的形貌结构，纳米棒尺寸，以及其原子排布空间结构的观察。简单探讨了其生长机理，生长基元的形成，晶核的形成，以及反应温度、生长时间、原材料比例、载气流量等对其生长影响和光致发光的影响。实验结果表明气相法制备ZnO纳米结构 ,可以制备出氧化锌纳米棒，并且从其形貌特征上可以看出其六角纤锌矿结构，在光电性质上看，其在

毕业设计中文毕业设计中文 半导体荧光量子点是尺寸小于10纳米的晶粒，具有优异的发光稳定性，因此可广泛应用于光电子器件、生物医学检测、光催化等方面。纳米ZnO是典型的紫外发光材料，具有制备方便、稳定性高、生物兼容等特点。在本文中，通过溶胶—凝胶法制备氧化锌量子点，用这种方法可以很容易的在实验室中制得半导体氧化锌量子点，制备条件比较容易，不需要高温，高压。 一般方法是将一种金属醇盐或无机物溶于乙醇或去离子水等溶剂中形成澄清溶液，通过超声波清洗机超声水解形成溶胶,然后利用离心机进行量子点的提纯。通过分析所

近年来随着射频/微波电路的发展，微波带通滤波器作为微波器件的一种也得到了大力的发展。带通滤波器是只让特定频率的波通过的的设备。带通滤波器在语音通讯系统和伺服系统中都有着重要应用。本文从带通滤波器的基本参数借助ADS软件对基于半波长谐振器的带通滤波器进行仿真与设计。首先，文中第一章我们阐述了微波传输线的概念以及微带线的结构、特点和作用；第二章节我们给出了滤波器的原理和分类，再说明了平行耦合带通滤波器的参数及主要指标；第三章节借助ADS软件对基于半波长谐振器的带通滤波器进行仿真，设计与优化。关键词 滤波器

光扩散片，也常称为扩散片，是背光模组和照明灯具中重要组件，主要功能是为显示器件或照明空间提供均匀的面光源。扩散片主要分为两类一类是掺杂粒子型，一类是表面结构型。表面结构型是在扩散片的基材上制备特定形貌特征的微米或纳米结构实现光扩散，由于表面结构的可控设计与制备，可很好地对入射光实现均匀柔化扩散，并可与低成本、批量化的纳米压印技术相兼容，被业界一致认为是未来的发展趋势。本文首先对扩散片的种类和应用进行简单介绍，接着提出了一种叠层凹陷微透镜阵列光扩散片结构，利用几何光学的蒙特卡洛光线追迹方法，借助业已成熟的商

本论文首先介绍了国内外对于耦合量子点系统和电子自旋研究的发展历程，然后着重介绍了电子自旋和自旋电子学，以及论文所需要的理论知识，包括热电效应、量子隧穿效应和Rashba自旋轨道耦合效应，以便为接下来的理论推导做好铺垫。在理论推导部分，利用非平衡态格林函数方法，研究了磁化、Rashba自旋轨道耦合作用、磁通量和量子点之间的旁路耦合对系统自旋塞贝克系数以及热电优值的影响。计算部分，我们分别考虑了铁磁构型和反铁磁构型下不加入Rashba自旋轨道耦合和磁通、铁磁构型和反铁磁构型下加入磁通不加入Rashba轨道耦合

随着半导体器件逐步发展，愈来愈多的半导体材料被应用在现代化的器件当中，单层SnS2作为半导体家族当中的一员受到人们广泛的关注。本文采用密度泛函理论系统的研究了单层SnS2的空位、非金属和过渡金属掺杂对其电子性质和磁性的影响。研究表明纯净的单层SnS2是带隙宽度为1.60eV的非磁性半导体。S空位的单层SnS2是带隙为1.62eV的非磁性半导体，Sn空位的SnS2单层为磁性半导体。非金属元素C和N掺杂单层SnS2都是磁性半导体，带隙宽度分别为0.489eV和0.625eV，O掺杂的单层SnS2是带隙为1.5